ฟรอนท์เอนด์ที่รับทีวีมือถือต้องมีความไวที่จำเป็นในการทำงานให้ห่างไกลจากเครื่องส่งสัญญาณและทนต่อการโอเวอร์โหลดเมื่อมีสัญญาณแรง สามารถรวมเข้ากับระบบความบันเทิงในรถยนต์ (ICE) รวมถึงความสามารถในการรับโทรทัศน์บนมือถือในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์แบบพกพาต่างๆเช่นโทรศัพท์มือถือผู้ช่วยดิจิทัลแบบพกพา (PDA) และคอมพิวเตอร์โน้ตบุ๊กแม้ว่าระยะห่างระหว่าง เครื่องรับและเครื่องส่งของผู้ใช้แตกต่างกันไปนอกจากนี้ควรทำงานได้ดีภายใต้เงื่อนไขของการเปลี่ยนแปลงตารางเวลา (แตกต่างจากการออกอากาศและโทรทัศน์แบบเดิม) การรวมแอมพลิฟายเออร์เสียงรบกวนต่ำอัตราขยายสูง (LNA) เข้ากับสวิตช์บายพาสไดโอด PIN จะช่วยให้ได้โซลูชันต้นทุนต่ำสำหรับส่วนหน้าของเครื่องรับโทรทัศน์แบบพกพาที่มีระบบป้องกันการโอเวอร์โหลดและความไวสูง
วิธีที่เป็นประโยชน์ที่สุดในการรับรู้เครื่องรับโทรทัศน์แบบเคลื่อนที่คือการลดอัตราขยายของเครื่องรับภายใต้สภาวะที่มีสัญญาณแรง การเพิ่มสัญญาณ RF แบบแปรผันช่วยลดความต้องการเชิงเส้นของสเตจมิกเซอร์ทำให้สามารถใช้ RF IC ราคาประหยัดเพื่อสร้างโมดูลตัวรับ ในการวิเคราะห์แบบเรียงซ้อนด้วยส่วนหน้าของตัวรับสัญญาณอัตราขยายแบบสลับ / ปรับได้การปรับปรุงจุดตัดสัญญาณอินเตอร์โมดูเลชันลำดับที่สามของอินพุต (IIP3) จะเป็นหน้าที่ของการเปลี่ยนแปลงอัตราขยาย เมื่อเทียบกับตัวรับสัญญาณแบบคงที่แล้วตัวรับสัญญาณแบบปรับได้จะสามารถจัดการสัญญาณที่แรงได้ดีกว่า
วงจรควบคุมอัตราขยายอัตโนมัติ (AGC) ยังสามารถใช้เพื่อเปลี่ยนอัตราขยายของ LNA ได้และเนื่องจาก AGC มักจะถูกนำมาใช้ก่อนตัวกรองช่องสัญญาณจึงสามารถตอบสนองต่อการโอเวอร์โหลดจากการส่งสัญญาณช่องสัญญาณที่อยู่ติดกัน
วิธีหนึ่งในการลดอัตราขยาย RF คือการปัดส่วนของสัญญาณ RF ลงกราวด์ก่อน LNA วิธีนี้ใช้องค์ประกอบการสลับ RF น้อยที่สุด แต่เมื่อปิดสวิตช์อิมพีแดนซ์จะไม่ตรงกันซึ่งอาจส่งผลต่อส่วนอื่น ๆ ของระบบ วิธีแก้ปัญหาคือการเชื่อมต่อองค์ประกอบการทำให้หมาด ๆ เข้ากับความต้านทานสูงหรือปลาย "ร้อน" ของเครือข่ายเรโซแนนซ์แบบขนาน LNA แม้ว่าจากมุมมองของช่วงการควบคุมอัตราขยายที่ใหญ่กว่าวิธีนี้จะเสียสละการคัดเลือก RF ก่อน LNA
เมื่อสัญญาณที่ได้รับโอเวอร์โหลดสเตจที่อยู่เบื้องหลัง LNA (เช่นมิกเซอร์หรือแอมพลิฟายเออร์ความถี่กลาง (IF)) สวิตช์ RF คู่หนึ่งสามารถใช้เพื่อข้ามขั้นตอน LNA ได้ ในสถานะบายพาสสัญญาณอินพุตจะถูกส่งโดยตรงไปยัง IC ตัวแปลงลง ตราบใดที่ส่วนประกอบในลูปสัญญาณบายพาสตรงกับอิมพีแดนซ์ลักษณะเฉพาะ (ทีวีมือถือคือ75Ω) โอกาสที่จะไม่ตรงกันจะลดลง แน่นอนว่าสวิตช์ที่เพิ่มเข้ามาทำให้วงจรซับซ้อนมากขึ้น
อีกวิธีหนึ่งคือการลดอัตราขยาย RF โดยการลดกระแสไฟนิ่งที่จ่ายให้กับอุปกรณ์ที่ใช้งานของ LNA แอมพลิฟายเออร์และอุปกรณ์ที่ใช้เทคโนโลยีนี้เช่นมอสเฟตแบบดูอัลเกตใช้เทอร์มินัลอุปกรณ์เพิ่มเติมเพื่อควบคุมกระแสไบแอส เนื่องจากไม่มีการใช้องค์ประกอบสวิตชิ่งวิธีการควบคุมอัตราขยายนี้จึงเป็นวิธีที่ง่ายที่สุดในวงจร แต่เนื่องจากกระแสสะสม / ท่อระบายน้ำต่ำกว่าจุดปฏิบัติการ DC ของอุปกรณ์ที่ได้รับการจัดอันดับความเป็นเชิงเส้นจึงถูกสังเวย
เพื่อให้เป็นไปตามข้อกำหนดของลูกค้าสำหรับ LNA ในเครื่องรับทีวีเคลื่อนที่แบบดูอัลโหมด (อนาล็อก / ดิจิตอล) ที่ทำงานในสเปกตรัม 47 ~ 870MHz จึงมีการพิจารณาตัวเลือก MMIC หลายตัว แต่ความเป็นเส้นตรงไม่ดีพอจึงไม่ได้นำมาใช้ ที่นี่ใช้ MMIC LNA เชิงเส้นสูงแบบบรอดแบนด์ (ชนิด MGA-68563) และสวิตช์ไดโอด PIN ภายนอกเพื่อออกแบบโครงร่าง
อุปกรณ์ GaAs PHEMT LNA แบบขั้นตอนเดียวนี้มีความกว้างประตู 800 ไมครอน (รูปที่ 3) ประตูของอุปกรณ์เชื่อมต่อกับกระจกปัจจุบันภายในเพื่อเสริมผลกระทบของการเปลี่ยนแปลงกระบวนการและลดผลกระทบของการเปลี่ยนแปลงแรงดันไฟฟ้าเกณฑ์ LNA ใช้การตอบสนองเชิงลบที่สูญเสียเพื่อให้เกิดความเสถียรและรักษาเสถียรภาพของการตอบสนองแอมพลิจูดภายในหน้าต่าง 3dB (± 1.5dB) ในสเปกตรัม 100MHz ~ 1GHz
เนื่องจากผลตอบรับภายในและการสูญเสียผลตอบแทนเอาต์พุตต่ำกว่า 10dB MMIC นี้จึงไม่ต้องการการจับคู่อิมพีแดนซ์เอาต์พุต อย่างไรก็ตามการจับคู่อินพุตในช่วงความถี่กว้าง (47 ~ 870MHz) นั้นพิสูจน์แล้วว่าเป็นเรื่องยากและต้องใช้วิธีที่ไม่เป็นทางการ ในการปรับดัชนีการสูญเสียผลตอบแทนอินพุตให้เหมาะสมกระแสระบาย (Ids) ของ FET ต้องสูงค่าเล็กน้อยคือ 10mA รหัส 20mA สามารถตอบสนองความต้องการด้านประสิทธิภาพการสูญเสียการสูญเสียอินพุตได้ แต่รหัสถูกเลือกเป็น 30mA เพื่อให้กว้างพอที่จะชดเชยผลกระทบใด ๆ ที่เกิดจากวงจรสวิตช์ไดโอด PIN ที่เพิ่มเข้ามา พิน 4 ของ MMIC LNA ควบคุมกระแสที่ไหลผ่านเครื่องกำเนิดกระแสไบแอสภายในผ่านตัวต้านทานภายนอก R1 การเปลี่ยนขนาดของ R1 จะเปลี่ยน Ids แต่แรงดันไฟฟ้า Vd จะยังคงอยู่ที่ 3V สามเท่าของรหัสระบุสามารถให้ความเป็นเชิงเส้นที่สูงขึ้นได้
เมื่อออกแบบวงจร LNA / สวิตช์จะใช้ไดโอด 4 PIN ในสวิตช์บายพาสที่จุดเริ่มต้น นี่เป็นการกำหนดค่าทั่วไปสำหรับสวิตช์แบบ double pole double throw (DPDT) หลักการทำงานของวงจรนี้คือการสร้างคู่ของไดโอด PIN ที่ส่วนบนและทำให้คู่ที่ส่วนล่างเป็นศูนย์อคติและในทางกลับกัน ในการทำงานปกติไดโอด PIN คู่ต่ำเท่านั้นที่ดำเนินการและ LNA จะขยายสัญญาณ RF เมื่อต้องลดอัตราขยาย RF คู่บนของไดโอด PIN จะเปิดอยู่และสัญญาณ RF จะถูกส่งไปรอบ ๆ LNA ในโหมดบายพาส ตัวต้านทานเหล่านี้ใช้เพื่อปรับกระแสไปข้างหน้าของไดโอด PIN และแยกสัญญาณ RF จากพอร์ตควบคุมลอจิก VSW1 และ VSW2 การออกแบบครั้งแรกใช้ส่วนประกอบจำนวนมากดังนั้นจึงจำเป็นต้องมีโซลูชันที่ง่ายกว่า
ด้วยการสื่อสารกับลูกค้าเราได้พัฒนาสวิตช์สองขั้วเดี่ยวโยน (DPST) ที่ง่ายขึ้นซึ่งจะต้องเชื่อมต่อหรือตัดการเชื่อมต่อเส้นทางบายพาสไปยังพอร์ตอินพุตและเอาต์พุตเท่านั้น เนื่องจากการสลับการควบคุมเส้นทาง LNA ไม่ได้ดำเนินการอีกต่อไปเพื่อที่จะใช้ลักษณะการแยกโดยธรรมชาติของ FET ที่ไม่มีอคติจึงต้องปิดแหล่งจ่ายไฟ LNA (Vdd) ในโหมดบายพาส วิธีนี้ช่วยลดประสิทธิภาพการสูญเสียผลตอบแทนของเส้นทางบายพาสเนื่องจากเส้นทางนี้มีประตู จำกัด และอิมพีแดนซ์ระบายควบคู่ไปกับ FET ที่ไม่มีอคติ
ในระหว่างการทำงานปกติแหล่งจ่ายไฟของไดโอด PIN จะปิด (VSW = 0V) ในขณะที่แหล่งจ่ายไฟ LNA ยังคงคืนค่าเป็น 3V อย่างไรก็ตามไดโอด PIN แบบ zero-bias เหล่านี้ได้รับผลกระทบจากความจุของปรสิตดังนั้นประสิทธิภาพการรับและการสูญเสียผลตอบแทนของ LNA จึงลดลงเนื่องจากการแยกทางบายพาสที่ไม่สมบูรณ์จากพอร์ตอินพุตและเอาต์พุต
สินค้าอื่น ๆ ของเรา:
